Información Básica.
color
gris
contenido principal
96% aln, 97% aln
características principales
alta conductividad térmica, excelente resistencia al plasma
principales aplicaciones
piezas disipadoras de calor, piezas de resistencia de plasma
densidad de masa
3.30
dureza vickers (carga 500g)
10.0
resistencia a la compresión
2500
young’ módulo de elasticidad
320
coeficiente de poisson’s.
0.24
calor específico
0.74
resistividad de volumen
>=10-14
rigidez dieléctrica
>=15
tangente de pérdida
5 *10-4
Paquete de Transporte
embalaje de cartón
Especificación
personalizado
Marca Comercial
innovadores
Origen
Fujian, China
Descripción de Producto
8" 6inch 8inch 6" Polished o lapped lados aluminio AlN Nitruro Wafer sustratos para la fabricación de semiconductores
Los sustratos de alúmina de Nituro desempeñan un papel esencial en la industria de los semiconductores. Una de las razones clave de su popularidad es su perfil térmico, que se ajusta estrechamente al del silicio. Esta similitud hace de los sustratos DE AIN una excelente opción para aplicaciones de semiconductores donde la gestión térmica es fundamental. Innovacere, un proveedor líder de estos sustratos, ofrece sustratos de alacena de Aluminium Nitride en varios diámetros, desde 2 pulgadas a 8 pulgadas, siendo los tamaños de 6 pulgadas y 8 pulgadas los más utilizados.
Las características de nitruro de aluminio incluyen:
>Alta conductividad térmica
>Alto aislamiento eléctrico
>constante dieléctrica baja
>Fuerza mecánica y estabilidad
>resistencia a la corrosión
Estabilidad química y térmica
>Alta conductividad térmica
>Alto aislamiento eléctrico
>constante dieléctrica baja
>Fuerza mecánica y estabilidad
>resistencia a la corrosión
Estabilidad química y térmica
Las propiedades únicas de los sustratos de Aluminium Nitride Wafer los hacen altamente buscados en varias aplicaciones de semiconductores.
Los sustratos se valoran especialmente en: >Electrónica de potencia
>dispositivos de RF y microondas
>Fabricación de LED
>Tecnología de unión Wafer
Los sustratos de alúmina de Nituro de aluminio son indispensables en la moderna industria de semiconductores, ofreciendo una combinación de conductividad térmica, aislamiento eléctrico y resistencia mecánica que pocos materiales pueden igualar. La gama de obleas de aluminio Nitruro (AIN) de Innovacera, disponibles en varios tamaños y opciones personalizadas, proporciona la fiabilidad y el rendimiento necesarios para aplicaciones de alta demanda. A medida que la industria de los semiconductores siga avanzando, el papel de los sustratos DEL AIN solo será más crítico, asegurando que los dispositivos sigan siendo eficientes, duraderos y capaces de satisfacer las crecientes demandas de la tecnología.
| Propiedades del material de nitruro de aluminio | ||||
| Material | NO | |||
| No de artículo | INC-AN180 | INC-AN200 | INC-AN220 | |
| Color | Gris | Gris | Beige | |
| Contenido principal | 96% ALN | 96% ALN | 97% ALN | |
| Características principales | Alta conductividad térmica, excelente resistencia al plasma | |||
| Aplicaciones principales | Piezas disipadoras de calor, piezas de resistencia de plasma | |||
| Densidad de masa | 3,30 | 3,30 | 3,28 | |
| Absorción de agua | 0 | 0 | 0 | |
| Vickers Hardness (carga 500g) | 10,0 | 9,5 | 9. | |
| Fuerza flexural | >=350 | >=325 | >=280 | |
| Resistencia a la compresión | 2500 | 2500 | - | |
| Módulo de elasticidad de Young | 320 | 320 | 320 | |
| Coeficiente de Poisson | 0,24 | 0,24 | 0,24 | |
| Dureza de fractura | - | - | - | |
| Coeficiente de expansión térmica lineal | 40-400degree | 4,8 | 4,6 | 4,5 |
| Conductividad térmica | 20degree | 180 | 200 | 220 |
| Calor específico | 0,74 | 0,74 | 0,76 | |
| Resistencia térmica impactante | - | - | - | |
| Resistividad del volumen | 20degree | >=10-14 | >=10-14 | >=10-13 |
| Rigidez dieléctrica | >=15 | >=15 | >=15 | |
| Constante dieléctrica | 1MHz | 9 | 8,8 | 8,6 |
| Pérdida Tangente | *10-4 | 5 | 5 | 6 |
